Infineon Technologies AG 自動車用トラクションインバーターの完全システムソリューションを発表; 2030年 BEV部品原価約1650ドル

MAPS2 Template

1 Public 2026年5月車載トラクションインバーターアプリケーションプレゼンテーション

3 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターアプリケーション概要ソリューション ‒ 「One Inverter, One Infineon」――インフィニオンは、パワー、センシング、コンピューティングを含む30以上のコンポーネントを網羅した完全なシステムソリューションを提供 ‒ インフィニオンのシステムソリューションは、各コンポーネントがシームレスに連携し、ハードウェア統合を通じてコスト最適化を実現: たとえば、EiceDRIVER 、XEV-PMIC、 AURIX MCU に機能安全メカニズムが統合されている ‒ インフィニオンは、あらゆる技術ノード(Si、SiC、GaN) を網羅する、最も幅広くスケーラブルなパワー製品ポートフォリオを有しており、B2/B6フレームモジュール、成形モジュール、ベアダイ、ディスクリートなど、あらゆるパッケージオプションから自由に選択できる選択肢を提供アプリケーション ‒ トラクションインバーターは電気駆動系において最も重要な部品で、その主な機能として、バッテリーの直流電力を三相交流電力に変換し、モーターのトルク、回転数、および効率を精密に制御 ‒ Si、SiC、GaNなどのパワー半導体は、システムのスイッチング周波数、導通損失、熱特性、および電力密度を決定し、半導体部品全体のBOMの75％以上を占める ‒ ゲートドライバー、電流センサー、MCU、PMICなどの電圧レギュレータは、統合された制御エコシステムを形成し、正確なスイッチングと機能安全規格への準拠を保証課題 ‒ OEM各社は、モジュラープラットフォームアプローチ、生産量の確保、および車両への統合に対応するため、高効率、コストおよびスペースの最適化、スケーラブルなシステムソリューションを求めている ‒ OEMの市場シェアは再編が進んでおり、乗用車分野ではBYDなどの中国OEMが急速にシェアを拡大。商用車分野では、中国がEUや米国を抜き、生産台数で首位に立っており、 2030年には電動トラックおよびバスの市場シェアで70％以上を占めると予想されている ‒ 垂直的なバリューチェーンの統合が勢いを増しており、主要OEMは自社内の研究開発部門を通じて、半導体の調達方針を主導あるいは決定している ‒ 市場は極めてダイナミックで価格競争が激化しており、イノベーション、差別化、そして迅速な市場投入が求められている市場規模(TAM*) (百万ユーロ) 6,124 5,816 6,341 7,088 7,882 8,867 9,540 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 *戦略レポートに基づくインフィニオンの推計

4 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオンは自動車半導体で世界トップ、アプリケーション拡大と搭載量増加で成長を加速 2024 ICE 2024 BEV 2030 BEV BEV 1台あたり約1,300ドル内燃機関車(ICE) 1台あたり約750ドル BEV 1台あたり約1,650ドル (ハイエンド車では最大約2,500ドル) 2024年および2030年の自動車1台あたりの半導体部品原価の平均駆動系向け用途： ‒ トラクションインバーター、OBC、DC-DCコンバーター、 BMS、補助機器 ‒ 部品コスト増加の要因： ‒ Siに代わるSiCおよびGaNの採用 ‒ 1台あたりのモーター数の増加とモーター出力の向上 → 1台あたりのkWがわずかに増加 SDVおよびその他の非駆動系用途： ‒ ドメイン／ゾーン ‒ SDV (E/EアーキテクチャおよびADASを含む) ‒ 安全性および高度なセキュリティ ‒ 快適性とプレミアム性 ‒ コネクティビティおよびインフォテインメントインフィニオン半導体のカバー範囲 xEV市場の拡大と車載半導体搭載量の増加によりインフィニオンは二重の成長メリットを享受 11m ～32m 3倍 BEV市場規模の成長 (自動車生産台数) 2024 2030 内燃機関(ICE) 駆動系 SDVおよびその他の用途 xEV駆動システム SDVおよびその他の用途

5 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 再生可能エネルギーのエネルギー利用率の向上バッテリー容量10％削減車両台数10％増加レアアースなどへの供給依存度の低減軽量化によるPM2.5の低減と走行性能の向上 Vehicle to X (V2X): 新たなビジネスモデルスマート充電適切なタイミングと性能エネルギー管理エネルギー管理予測運転半導体の効率電力損失の低減転がり抵抗と空気抵抗小型化・軽量化コネクテッド環境 V2Xとインフラインバーターのビジョン: その実現に向けて 10 kwh 100 km

6 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 高効率 ‒ 部分負荷領域での高効率化(WLTP走行の 92％が部分負荷: 出力電流250 Arms未満) による最適なエネルギー消費 ‒ 熱性能の向上により、冷却負荷の低減、高電力密度、システムの信頼性を実現 ‒ スイッチング効率を最大化し、DCとAC間のエネルギー損失を低減コストの最適化 ‒ 電力密度の向上により、冷却負荷と受動部品の削減を実現 ‒ システムレベルの統合度を高め、BOMを削減し、組み立ての複雑さを軽減 ‒ スムーズなスケールアップとコスト最適化を実現するプラットフォームのモジュール性と拡張性 ‒ 製造のしやすさ(例: 供給の弾力性) により、量産コストのシナジー効果を向上適切な性能 ‒ システム提供における高いスケーラビリティにより、さまざまな車種セグメント間の移行を簡易化 ‒ 高出力密度により、コンパクトなパッケージングと軽量設計を実現 ‒ 高負荷および高温条件下での動作に耐える堅牢な熱性能 ‒ コスト意識を持ちつつ、FuSa ASIL Cに準拠した高い信頼性車両への統合 ‒ ゲートドライバー、MCU、センサー、PMICへの機能安全機能の統合 ‒ MCU／センサー内部でのレゾルバおよびローター位置決め機能の統合 ‒ パワーモジュール、DCリンク、冷却インターフェースなど、高レベルのハードウェア統合による電力密度の向上 ‒ MCUのマルチコアコンセプトなど、リソースの共有によるX-in-1コンセプトへの準備トラクションインバーターにおける4つのトレンド: 高効率化、コスト最適化、適切な性能、および車両への統合

7 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターアプリケーションに対するインフィニオンの理解 ‒ 効率の向上→ 航続距離の延長 ‒ コスト削減→ 誰もが手頃な価格で購入可能に ‒ 性能の横展開→ 車種セグメントを横断したスケーラブルなソリューションにより、プラットフォーム／モジュール化アプローチを実現 ‒ 重量最適化→ サイズと重量 ‒ 機能安全→ システムレベルでのASIL C/D ‒ 量産化→ 2030年にはXEVの割合が30％に達すると予想 ‒ 車両統合→ 垂直および水平のバリューチェーン統合。OEMとの直接的な連携が求められるアプリケーション要件 ‒ 1つのインバーターによるマルチモーター構成。場合によっては、インバーター、OBC、BMS、VCUがX-IN-1アーキテクチャに属することもある ‒ コスト削減 ‒ 製造容易性と大量生産を視野に入れた設計 ‒ 部品(機能) の削減やハードウェアの相乗効果を高めるための高度な統合(例: 冷却システムの共有、レゾルバICの統合によるスペースの最適化) ‒ 信頼性と堅牢性 ‒ システム全体の調和と最適化安全コンセプト、ISO26262プロセスへの準拠、ASIL Cが推奨 ‒ マルチコアによる並列処理の実現 ‒ 電力密度の向上による性能とコストの最適化典型的な課題

8 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターにおけるインフィニオンの付加価値迅速なプラットフォーム移行を実現 ‒ 市場最高レベルの拡張性 ‒ Si、SiC、GaNを網羅する業界最大のパワーポートフォリオと、多様なパッケージ展開によるシステム最適化とアーキテクチャ選択の自由度 ‒ 再設計の負担を軽減し、プラットフォームおよび技術の移行を容易に実現コストの最適化 ‒ 市場トップレベルの電力密度(スペース、電流、出力) による高いコストパフォーマンスの実現と、バッテリーコスト削減および航続距離向上 ‒ 1) 機能統合(例: MCU内にローター位置決め機能を統合) によるスペースの最適化 ‒ 2) 革新的なパッケージオプション(チップ埋め込み、SSC など)… スペース最適化における柔軟性ワンストップショップ ‒ 「One Inverter, One Infineon」ー30 種類以上の半導体コンポーネントを揃えたワンストップショップにより、迅速な設計を実現 ‒ コンポーネント間のシームレスな互換性、機能統合、相互運用性により、市場投入までの時間を短縮

10 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 アプリケーション要件に応じた電力定格とスイッチング周波数の最適活用技術の比較 ‒ SiCは多くの用途においてSiを補完し、新たなソリューションを実現 ‒ 650 V～3.3 kVを対象 ‒ 高電力・高スイッチング周波数 ‒ Siは依然として主流の技術である ‒ 対象電圧: 25 V ～ 6.5 kV ‒ 低電力から高電力まで対応 ‒ GaNは、電源アプリケーションとオーディオの忠実度において新たな可能性を切り拓く ‒ 80 V～600 Vをターゲット ‒ 中出力 – 最高スイッチング周波数 Si SiC GaN 周波数 [Hz] 電力 [W] 1 k 1 k 10 k 100 k 1 M 1 M 10k 100 k 10 M 10 M Si SiC GaN セントラルPV* ストリングPV* パイル OBC** *PV = 太陽光発電用インバーター **OBC = 車載充電器

11 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 用途ごとに異なるWBG移行と、引き続き主流となるSi技術 SiC 高出力スイッチングにおいて優位性を発揮性能と電力密度において優位性を持つ GaN 優れたスイッチング性能により、高効率化とシステムコストの低減を実現 Si 低いスイッチング周波数において、コスト対性能と熱特性に優れ、高い競争力を発揮 Si SiC GaN xEV 風力高出力 EV充電太陽光発電データセンター／AI (DC/DC) 鉄道駆動システム 2030 2020 車載用充電器充電器サーバー (高電圧) 5G基地局ステーションエネルギーエネルギーシステム主要家電製品電力電動工具

12 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 最先端技術を支える半導体製造におけるインフィニオンの卓越した技術力インフィニオンは、3つの主要半導体材料を掌握することで業界イノベーションリーダーとしての地位を強化世界最薄直径300 mmで厚さ20 µmのシリコンパワーウェハー (2024年10月) 世界初 300 mm窒化ガリウム(GaN) パワーウェハー (2024年9月) 世界最大規模クリムにある世界最大級の200 mm 炭化ケイ素(SiC) パワーファブ (2024年8月) ‒ 最高のコストパフォーマンス ‒ 市場最大規模のSuperjunction MOSFET製品ラインアップ ‒ 成熟・安定し、定評がある ‒ 高性能、堅牢性、使いやすさ ‒ 過酷な環境下でも高い信頼性 ‒ システムサイズの小型化 ‒ 最高周波数での最高効率 ‒ 最小のシステムサイズ ‒ システム統合が可能

14 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 電動化と産業効率化を加速: インフィニオンのSiC Superjunction技術の新基準 2025年5月6日に発表された内容 − SiCトレンチ型デバイス(CoolSiC ) における確かな実績と、シリコン製電荷補償デバイス (CoolMOS ) の革新者としての地位に基づき、インフィニオンはトレンチ型SiCスーパージャンクション技術コンセプト(TSJ) を発表 − この新技術に基づく最初の製品は、自動車用トラクションインバーター向けのID-PAKパッケージ搭載1200 V製品を予定しており、2027年に量産開始見込み主な利点： ‒ R(DS)on*Aを最大40％改善することで電力密度を向上させ、所定の電力クラス内でよりコンパクトな設計を実現 ‒ 短絡耐性を損なうことなく、メインインバーターにおける電流容量を最大25％向上今後の製品展開(2027年以降)： ‒ SiC TSJ技術に基づくCoolSiC 製品ポートフォリオを、ディスクリート、モールド型およびフレーム型モジュール、ならびにベアダイを含め、段階的に拡張予定 ‒ 自動車および産業分野が対象

1200 V SiC MOSFET、高TJ 、全負荷動作時実際の導通損失の改善率は、アプリケーションおよび環境条件(動作温度など) によって異なる ** チップの小型化は、RDS(on)*A だけでなく熱抵抗やスイッチング損失にも影響このため、実際のチップサイズ縮小には、システム設計の詳細やアプリケーション条件が影響 CoolSiC トレンチ + SJ RDS(on)*Aが40%改善 G2 チップの小型化 -40% マーケットニュースへのリンク

16 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオン、脱炭素化とデジタル化を推進 2030年以降、BMWのさまざまな用途にAURIX TC4xxが搭載されるすでに採用決定 1) AURIX MCU TC4xx 2) PMIC 搭載製品 − OEM: BMW AG − 量産開始(SOP): 2030年 − 用途: トラクションインバーター、バッテリー制御ユニット、ADAS 中央演算、車両運動制御中央演算ビジネスシナリオ − 設計プロセスにおけるシステムレベルのソリューション提供およびサポート − 生産能力予約契約(CRA) による供給保証採用要因

17 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 AURIX TC4xおよびチップ埋め込み技術が「2025年世界新エネルギー車会議」にて2つの賞を受賞グローバルNEV革新技術「グローバルNEV最先端技術賞」 AURIX TC4xおよびCoolSiC チップの組み込みトラクションインバーターに採用され、ワールドニューエネルギービークル会議にて2つの賞を受賞継続的なイノベーションにより、インフィニオンのマイコンおよびパワー半導体分野におけるリーダーシップを示すインフィニオンテクノロジーズのシニアバイスプレジデント兼グレーターチャイナ自動車事業責任者であるフリーマンカオ(Freeman Cao) (写真右) が、中国科学技術協会会長兼WNEVC会長のワンガン(Gang Wan) 氏(写真左) から賞を受け取った

19 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 卓越した技術と長期的な供給の安定性を通じてインフィニオンとステランティス、10億ユーロ規模の事業で提携インフィニオンのSiCの利点ステランティスとの提携インフィニオンとステランティスは、炭化ケイ素(SiC) チップの複数年にわたる供給に関する基本合意書(MoU) を締結。想定される調達量および生産能力の確保額は10億ユーロ以上。インフィニオンのCoolSiC 第2世代チップは、その比類なき性能、信頼性、そして品質面でのリーダーシップにより、ステランティスに採用。これにより、ステランティスが、航続距離が長く、消費電力の少ない高効率な電気自動車を製造し、最終的にはプラットフォームの標準化、簡素化、近代化という同社の取り組みを支援。 EVのトラクションインバーターにおいては、より高い効率と適切な性能が鍵。 IGBTはコスト最適化されたドライブトレインに理想的だが、SiCはWLTP部分負荷シナリオにおいてより高い効率を発揮。インフィニオンは、IGBTとSiCの間で市場最高の拡張性を提供しており、顧客はニーズに応じて技術を自由に選択できるほか、プラットフォーム移行の負担を軽減しつつ、迅速な市場投入が可能。

21 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 [インバーターチップセットプラットフォーム]には30個以上のインフィニオン製部品が搭載、シームレスな相互運用性と機能統合電流センサー › AC電流測定 › ADCインターフェース › スタンドアロン型センサー › XENSIV TLE4973 モジュール(Swoboda)、 TLE4975 電源 › OPTIREG XEV-PMIC TLE9744 › 機能安全 › スタンバイモード › EMC性能の向上ゲートドライバー › EiceDRIVER 1EDI304x › スルーレート制御によるシステム効率と寿命の向上 › システムコストの削減パワーモジュール › HybridPACK Drive Gen 2. FS0x SiC › SiCベアダイ › IDPAK › チップ埋め込み › 幅広い製品ファミリー › 最先端のIGBT技術 › 大量生産実績 Auto F-RAM › EXCELON › リアルタイムデータ記録 › NVM マイクロコントローラー › AURIX TC49x または TC46x › マルチコアデバイス › 安全・セキュリティ › xEV全体で拡張可能位置センサー › XENSIV TLE481xU › シャフト端に統合されたローター位置検知ソリューション › よりコンパクトな設計機能安全 › 互換性があり、相互運用可能なチップセット › ISO 26262 準拠 › 統一されたドキュメント製品 › マイクロコントローラー › ドライバーステージ › PMIC › CANトランシーバー › メモリ › IGBTモジュール／ SiCモジュール › 位置センサートラクションインバーター › 概要 › 製品情報 › 資料 › 動画 › トレーニング › サポート BRIGHTLANE ETH PHY / 高速CANトランシーバー › BRIGHTLANE 88Q111x › シングルペアEthernet › 過酷な環境(EMI) › 1000BASE-T1 に対応 In Vehicle Network

22 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 LV HV 駆動用インバーターの構成フライバック回路フライバック回路電源スイッチ電源スイッチ電源スイッチ電源スイッチ電源スイッチ電源スイッチ DCリンク EM 絶縁高電圧-低電圧 DC/DC LVバッテリーゲート電源フライバック回路フライバック回路ゲート電源電流センサ XENSIVTM 電流センサ XENSIV XENSIVTM 電流センサー XENSIVTM HVバッテリー冗長電源ネットワーク Si²C EiceDriverTM EiceDriverTM EiceDRIVERTM ハイサイド OPTIREGTM リニアLDO チップ埋め込みベアダイまたはレゾルバ 32ビットMCU AURIXTM リアルタイム制御ハードウェア保護機能接続性セキュリティ仮想化並列処理ユニットコンバータ・デジタル信号処理 (レゾルバ) 凡例センシング信号安全信号（例：SI1 および SI2）制御信号（例：PWM）電源レール通信（例：SPI）電源信号（例：ゲート制御）絶縁型センシング（例：ホール）電気的絶縁電源管理 OPTIREGTM 安全エンジンレゾルバ駆動供給およびプリレギュレータ OPTIREGTM リニアLDO ディスクリートまたは EiceDriverTM EiceDriverTM EiceDRIVERTM ローサイドローター位置センサー XENSIVTM 車載用ネットワーク BRIGHTLANE 高速CAN 電源モジュールまたはまたは

23 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 MSK: メインインバーター用 CoolSiCTM キットデモ概要「One Inverter One Infineon」: 最大750 Armsの相電流に対応する800 Vバッテリーシステム向けの、高電圧トラクションインバーターシステムソリューション一式。このリファレンスデザインは、電気駆動系分野におけるインフィニオンの確かなシステムノウハウを実証。31個のインフィニオン製コンポーネントを採用し、各コンポーネント間のシームレスな相互運用性を実現することで、最先端の機能安全コンセプト(QM) を達成。トレーニングビデオ使用されているインフィニオン製品 31種類のインフィニオン製コンポーネントおよび20の製品グループ： 1ED020I12FA2; 1EDI3050AS; 4DIR2400H; AIMBG120R120M1; BAS16-03W; BAS21-03W; BAT54-02V; BC848C; BC858C; BSL606SN H6327; BSS138N; BSZ15DC02KD H; BTG7050- 1EPL; FS01MR12A8MA2B; IAUZ30N06S5L140; IAUZN04S7L049; ICE5GSAG; ICE5QSBG; IMBF170R1K0M1; IPZ40N04S5L-7R4; TC49x_BGA436_EMS; TLE4973; TLE9252VSK; TLE9371SJ; TLE9744QK; TLF80511EJV33; TLI4961-1M; TLS125D0EJ; TLS810A1LD V50; TLS850C2TE V33; TVS3V3L4U デモセットアップの要件サイズ：118,40 mm × 320 mm × 334 mm 電源不要対象アプリケーション電気式乗用車および商用車のトラクションインバーター向けリファレンスデザイン。これにより、少ない労力でテストを開始し、最終的には市場投入までの時間を短縮。特長メリット › インバーター制御ボード: AURIX 、I-PMIC、F-RAM、CAN FD › 周辺処理ユニット(PPU) を搭載したマルチコアアプリケーションにより優れた性能を実現 › AURIX MCUとI-PMICを組み合わせた冗長安全動作を実現する安全コンセプト › ローター位置決め用のレゾルバ＋プライベートCAN › インバーターパワーステージ: HybridPACK Drive G2 CoolSiCTM FS0x 電流センサー XENSIV TLE4973 › 1200 V 1mΩ HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM + プラスチック製クーラー › オプション：750 V HybridPACKTM Drive Fusion (CoolSiCTM

HybridPACKTM フレーム内のIGBT) › コアレス電流センサー(Swobodaパッケージ) › 17 nHのコミューテーションセル搭載の高拡張DCリンク › インバータードライバーボード EiceDRIVER 、ISO Face、SiC、フライバック › 単一故障耐性のある電源コンセプト › 主電源用高電圧→低電圧DC/DCコンバーター › 冗長化されたHV_DC測定 › アクティブ放電(抵抗またはパワーモジュール経由) › インバータードライバーボードアプリケーションソフトウェア＋GU