--- title: "Infineon Technologies AG 自動車用トラクションインバーターの完全システムソリューションを発表; 2030年 BEV部品原価約1650ドル" sdDatePublished: "2026-08-08T04:17:00Z" source: "https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/159/2026-traction-inverter-application-presentation-open-market-ja.pdf" topics: - name: "manufacturing and engineering" identifier: "medtop:20000294" - name: "automotive" identifier: "medtop:20000296" - name: "electricity" identifier: "medtop:20000260" - name: "business strategy and marketing" identifier: "medtop:20000192" - name: "market trend" identifier: "medtop:20000284" - name: "artificial intelligence" identifier: "medtop:20001298" - name: "semiconductor and electronic component" identifier: "medtop:20000230" locations: - "Kedah" - "China" - "Japan" - "United States" --- Infineon Technologies AG 自動車用トラクションインバーターの完全システムソリューションを発表; 2030年 BEV部品原価約1650ドル MAPS2 Template 1 Public 2026年5月 車載トラクションインバーター アプリケーションプレゼンテーション 2 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 マーケット トレンド 要件 3 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターアプリケーション概要 ソリューション ‒ 「One Inverter, One Infineon」――インフィニオンは、パワー、センシング、コンピューティ ングを含む30以上のコンポーネントを網羅した完全なシステムソリューションを提供 ‒ インフィニオンのシステムソリューションは、各コンポーネントがシームレスに連携し、ハー ドウェア統合を通じてコスト最適化を実現: たとえば、EiceDRIVER 、XEV-PMIC、 AURIX MCU に機能安全メカニズムが統合されている ‒ インフィニオンは、あらゆる技術ノード(Si、SiC、GaN) を網羅する、最も幅広くスケーラブ ルなパワー製品ポートフォリオを有しており、B2/B6フレームモジュール、成形モジュール 、ベアダイ、ディスクリートなど、あらゆるパッケージオプションから自由に選択できる選択 肢を提供 アプリケーション ‒ トラクションインバーターは電気駆動系において最も重要な部品で、その主な機能 として、バッテリーの直流電力を三相交流電力に変換し、モーターのトルク、回転 数、および効率を精密に制御 ‒ Si、SiC、GaNなどのパワー半導体は、システムのスイッチング周波数、導通損失 、熱特性、および電力密度を決定し、半導体部品全体のBOMの75％以上を占め る ‒ ゲートドライバー、電流センサー、MCU、PMICなどの電圧レギュレータは、統合さ れた制御エコシステムを形成し、正確なスイッチングと機能安全規格への準拠を 保証 課題 ‒ OEM各社は、モジュラープラットフォームアプローチ、生産量の確保、および車両への統 合に対応するため、高効率、コストおよびスペースの最適化、スケーラブルなシステムソリ ューションを求めている ‒ OEMの市場シェアは再編が進んでおり、乗用車分野ではBYDなどの中国OEMが急速に シェアを拡大。商用車分野では、中国がEUや米国を抜き、生産台数で首位に立っており、 2030年には電動トラックおよびバスの市場シェアで70％以上を占めると予想されている ‒ 垂直的なバリューチェーンの統合が勢いを増しており、主要OEMは自社内の研究開発部 門を通じて、半導体の調達方針を主導あるいは決定している ‒ 市場は極めてダイナミックで価格競争が激化しており、イノベーション、差別化、そして迅 速な市場投入が求められている 市場規模(TAM*) (百万ユーロ) 6,124 5,816 6,341 7,088 7,882 8,867 9,540 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 *戦略レポートに基づくインフィニオンの推計 4 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオンは自動車半導体で世界トップ、 アプリケーション拡大と搭載量増加で成長を加速 2024 ICE 2024 BEV 2030 BEV BEV 1台あたり 約1,300ドル 内燃機関車(ICE) 1台 あたり約750ドル BEV 1台あたり約1,650ドル (ハイエンド車では最大約2,500ドル) 2024年および2030年の自動車1台あたりの半導体部品原価の平均 駆動系向け用途： ‒ トラクションインバーター、OBC、DC-DCコンバーター、 BMS、補助機器 ‒ 部品コスト増加の要因： ‒ Siに代わるSiCおよびGaNの採用 ‒ 1台あたりのモーター数の増加とモーター出力の向上 → 1台あたりのkWがわずかに増加 SDVおよびその他の非駆動系用途： ‒ ドメイン／ゾーン ‒ SDV (E/EアーキテクチャおよびADASを含む) ‒ 安全性および高度なセキュリティ ‒ 快適性とプレミアム性 ‒ コネクティビティおよびインフォテインメント インフィニオン半導体のカバー範囲 xEV市場の拡大と車載半導体搭載量の増加により インフィニオンは二重の成長メリットを享受 11m ～32m 3倍 BEV市場規模の成長 (自動車生産台数) 2024 2030 内燃機関(ICE) 駆動系 SDVおよびその他の用途 xEV駆動システム SDVおよびその他の用途 5 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 再生可能エネルギーの エネルギー利用率の向 上 バッテリー容量10％削減 車両台数10％増加 レアアースなどへの供給 依存度の低減 軽量化によるPM2.5の 低減と走行性能の向上 Vehicle to X (V2X): 新たなビジネスモデル スマート充電 適切なタイミングと性能 エネルギー管理 エネルギー管理予測運転 半導体の効率 電力損失の低減 転がり抵抗と空気抵抗 小型化・軽量化 コネクテッド環境 V2Xとインフラ インバーターのビジョン: その実現に向けて 10 kwh 100 km 6 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 高効率 ‒ 部分負荷領域での高効率化(WLTP走行の 92％が部分負荷: 出力電流250 Arms未満) に よる最適なエネルギー消費 ‒ 熱性能の向上により、冷却負荷の低減、高電 力密度、システムの信頼性を実現 ‒ スイッチング効率を最大化し、DCとAC間のエ ネルギー損失を低減 コストの最適化 ‒ 電力密度の向上により、冷却負荷と受動部品 の削減を実現 ‒ システムレベルの統合度を高め、BOMを削減 し、組み立ての複雑さを軽減 ‒ スムーズなスケールアップとコスト最適化を実 現するプラットフォームのモジュール性と拡張性 ‒ 製造のしやすさ(例: 供給の弾力性) により、量 産コストのシナジー効果を向上 適切な性能 ‒ システム提供における高いスケーラビリティに より、さまざまな車種セグメント間の移行を簡易 化 ‒ 高出力密度により、コンパクトなパッケージング と軽量設計を実現 ‒ 高負荷および高温条件下での動作に耐える堅 牢な熱性能 ‒ コスト意識を持ちつつ、FuSa ASIL Cに準拠し た高い信頼性 車両への統合 ‒ ゲートドライバー、MCU、センサー、PMICへの 機能安全機能の統合 ‒ MCU／センサー内部でのレゾルバおよびロー ター位置決め機能の統合 ‒ パワーモジュール、DCリンク、冷却インターフ ェースなど、高レベルのハードウェア統合による 電力密度の向上 ‒ MCUのマルチコアコンセプトなど、リソースの 共有によるX-in-1コンセプトへの準備 トラクションインバーターにおける4つのトレンド: 高効率化、コスト最適化、適切な性能、および車両への統合 7 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターアプリケーションに対するインフィニオンの理解 ‒ 効率の向上→ 航続距離の延長 ‒ コスト削減→ 誰もが手頃な価格で購入可能に ‒ 性能の横展開→ 車種セグメントを横断したスケーラブルなソリュ ーションにより、プラットフォーム／モジュール化アプローチを実現 ‒ 重量最適化→ サイズと重量 ‒ 機能安全→ システムレベルでのASIL C/D ‒ 量産化→ 2030年にはXEVの割合が30％に達すると予想 ‒ 車両統合→ 垂直および水平のバリューチェーン統合。OEMとの 直接的な連携が求められる アプリケーション要件 ‒ 1つのインバーターによるマルチモーター構成。場合によっては、 インバーター、OBC、BMS、VCUがX-IN-1アーキテクチャに属する こともある ‒ コスト削減 ‒ 製造容易性と大量生産を視野に入れた設計 ‒ 部品(機能) の削減やハードウェアの相乗効果を高めるための高 度な統合(例: 冷却システムの共有、レゾルバICの統合によるスペ ースの最適化) ‒ 信頼性と堅牢性 ‒ システム全体の調和と最適化安全コンセプト、ISO26262プロセス への準拠、ASIL Cが推奨 ‒ マルチコアによる並列処理の実現 ‒ 電力密度の向上による性能とコストの最適化 典型的な課題 8 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーターにおけるインフィニオンの付加価値 迅速なプラットフォーム移行を実現 ‒ 市場最高レベルの拡張性 ‒ Si、SiC、GaNを網羅する業界最大の パワーポートフォリオと、多様なパッ ケージ展開によるシステム最適化と アーキテクチャ選択の自由度 ‒ 再設計の負担を軽減し、プラットフォ ームおよび技術の移行を容易に実現 コストの最適化 ‒ 市場トップレベルの電力密度(スペー ス、電流、出力) による高いコストパ フォーマンスの実現と、バッテリーコ スト削減および航続距離向上 ‒ 1) 機能統合(例: MCU内にローター 位置決め機能を統合) によるスペー スの最適化 ‒ 2) 革新的なパッケージオプション(チ ップ埋め込み、SSC など)… スペース 最適化における柔軟性 ワンストップショップ ‒ 「One Inverter, One Infineon」ー30 種類以上の半導体コンポーネントを 揃えたワンストップショップにより、迅 速な設計を実現 ‒ コンポーネント間のシームレスな互換 性、機能統合、相互運用性により、市 場投入までの時間を短縮 9 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 半導体によるエネルギー効率向上と小型軽量化による車両性能向上 10 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 アプリケーション要件に応じた電力定格とスイッチング周波数の最適活用 技術の比較 ‒ SiCは多くの用途においてSiを補完し、新 たなソリューションを実現 ‒ 650 V～3.3 kVを対象 ‒ 高電力・高スイッチング周波数 ‒ Siは依然として主流の技術である ‒ 対象電圧: 25 V ～ 6.5 kV ‒ 低電力から高電力まで対応 ‒ GaNは、電源アプリケーションとオーディ オの忠実度において新たな可能性を切り 拓く ‒ 80 V～600 Vをターゲット ‒ 中出力 – 最高スイッチング周波数 Si SiC GaN 周波数 [Hz] 電力 [W] 1 k 1 k 10 k 100 k 1 M 1 M 10k 100 k 10 M 10 M Si SiC GaN セントラルPV* ストリングPV* パイル OBC** *PV = 太陽光発電用インバーター **OBC = 車載充電器 11 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 用途ごとに異なるWBG移行と、引き続き主流となるSi技術 SiC 高出力スイッチングにおいて優位性を発揮 性能と電力密度において優位性を持つ GaN 優れたスイッチング性能により、 高効率化とシステムコストの低減を実現 Si 低いスイッチング周波数において、 コスト対性能と熱特性に優れ、高い競争力を発揮 Si SiC GaN xEV 風力 高出力 EV充電 太陽光発電 データセンター ／AI (DC/DC) 鉄道 駆動システム 2030 2020 車載用 充電器 充電器 サーバー (高電圧) 5G基地局 ステーション エネルギー エネルギー システム 主要家電製品 電力 電動工具 12 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 最先端技術を支える半導体製造におけるインフィニオンの卓越した技術力 インフィニオンは、3つの主要半導体材料を掌握することで 業界イノベーションリーダーとしての地位を強化 世界最薄 直径300 mmで厚さ20 µmの シリコンパワーウェハー (2024年10月) 世界初 300 mm窒化ガリウム(GaN) パワーウェハー (2024年9月) 世界最大規模 クリムにある世界最大級の200 mm 炭化ケイ素(SiC) パワーファブ (2024年8月) ‒ 最高のコストパフォーマンス ‒ 市場最大規模のSuperjunction MOSFET製品ラインアップ ‒ 成熟・安定し、定評がある ‒ 高性能、堅牢性、使いやすさ ‒ 過酷な環境下でも高い信頼性 ‒ システムサイズの小型化 ‒ 最高周波数での最高効率 ‒ 最小のシステムサイズ ‒ システム統合が可能 13 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオンによる世界初300 mm GaNパワー技術の先駆的開発と 業界変革の牽引 供給の安定性 による事業継続性の確保 GaN技術による システム性能とコスト効率の向上 将来的にシリコンと同等コスト 水準達成に貢献 優れた価値提案 14 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 電動化と産業効率化を加速: インフィニオンのSiC Superjunction技術の新基準 2025年5月6日に発表された内容 − SiCトレンチ型デバイス(CoolSiC ) における確かな実績と、シリコン製電荷補償デバイス (CoolMOS ) の革新者としての地位に基づき、インフィニオンはトレンチ型SiCスーパージャ ンクション技術コンセプト(TSJ) を発表 − この新技術に基づく最初の製品は、自動車用トラクションインバーター向けのID-PAKパッケ ージ搭載1200 V製品を予定しており、2027年に量産開始見込み 主な利点： ‒ R(DS)on*Aを最大40％改善することで電力密度を向上させ、所定の電力クラス内でよりコン パクトな設計を実現 ‒ 短絡耐性を損なうことなく、メインインバーターにおける電流容量を最大25％向上 今後の製品展開(2027年以降)： ‒ SiC TSJ技術に基づくCoolSiC 製品ポートフォリオを、ディスクリート、モールド型およびフ レーム型モジュール、ならびにベアダイを含め、段階的に拡張予定 ‒ 自動車および産業分野が対象 * 1200 V SiC MOSFET、高TJ 、全負荷動作時 実際の導通損失の改善率は、 アプリケーションおよび 環境条件(動作温度など) によって異なる ** チップの小型化は、RDS(on)*A だけでなく熱抵抗やスイッチング損失にも影響 このため、実際のチップ サイズ縮小には、システム設計の詳細や アプリケーション条件が影響 CoolSiC トレンチ + SJ RDS(on)*Aが40%改善 G2 チップの小型化 -40% マーケットニュースへのリンク 15 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 トラクションインバーター サクセスストーリー 16 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオン、脱炭素化とデジタル化を推進 2030年以降、BMWのさまざまな用途にAURIX TC4xxが搭載される すでに採用決定 1) AURIX MCU TC4xx 2) PMIC 搭載製品 − OEM: BMW AG − 量産開始(SOP): 2030年 − 用途: トラクションインバーター、 バッテリー制御ユニット、ADAS 中央演算、車両運動制御中央演 算 ビジネスシナリオ − 設計プロセスにおけるシステムレ ベルのソリューション提供およびサ ポート − 生産能力予約契約(CRA) による 供給保証 採用要因 17 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 AURIX TC4xおよびチップ埋め込み技術が 「2025年世界新エネルギー車会議」にて2つの賞を受賞 グローバルNEV革新技術 「グローバルNEV最先端技術賞」 AURIX TC4xおよびCoolSiC チップの組み込み トラクションインバーターに採用され、 ワールドニューエネルギービークル会議にて2つの賞を受賞 継続的なイノベーションにより、インフィニオンのマイコン およびパワー半導体分野におけるリーダーシップを示す インフィニオンテクノロジーズのシニアバイスプレジデント兼グレーターチャイナ自動車事業責任者である フリーマンカオ(Freeman Cao) (写真右) が、中国科学技術協会会長兼WNEVC会長のワンガン(Gang Wan) 氏(写真左) から賞を受け取った 18 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 インフィニオン社の「HybridPACK Drive G2」および「AURIX TC3xx」と PMICを搭載したRivian R2プラットフォーム 19 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 卓越した技術と長期的な供給の安定性を通じて インフィニオンとステランティス、10億ユーロ規模の事業で提携 インフィニオンのSiCの利点 ステランティスとの提携 インフィニオンとステランティスは、炭化ケイ素(SiC) チップの複数年にわた る供給に関する基本合意書(MoU) を締結。想定される調達量および生産能 力の確保額は10億ユーロ以上。 インフィニオンのCoolSiC 第2世代チップは、その比類なき性能、信頼性、そ して品質面でのリーダーシップにより、ステランティスに採用。これにより、ス テランティスが、航続距離が長く、消費電力の少ない高効率な電気自動車を 製造し、最終的にはプラットフォームの標準化、簡素化、近代化という同社の 取り組みを支援。 EVのトラクションインバーターにおいては、より高い効率と適切な性能が鍵。 IGBTはコスト最適化されたドライブトレインに理想的だが、SiCはWLTP部分 負荷シナリオにおいてより高い効率を発揮。 インフィニオンは、IGBTとSiCの間で市場最高の拡張性を提供しており、顧客 はニーズに応じて技術を自由に選択できるほか、プラットフォーム移行の負担 を軽減しつつ、迅速な市場投入が可能。 20 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 「One Inverter One Infineon」 システムソリューション リファレンスデザイン 21 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 [インバーターチップセットプラットフォーム]には30個以上のインフィニオン 製部品が搭載、シームレスな相互運用性と機能統合 電流センサー › AC電流測定 › ADCインターフェース › スタンドアロン型センサー › XENSIV TLE4973 モジュール(Swoboda)、 TLE4975 電源 › OPTIREG XEV-PMIC TLE9744 › 機能安全 › スタンバイモード › EMC性能の向上 ゲートドライバー › EiceDRIVER 1EDI304x › スルーレート制御によるシステ ム効率と寿命の向上 › システムコストの削減 パワーモジュール › HybridPACK Drive Gen 2. FS0x SiC › SiCベアダイ › IDPAK › チップ埋め込み › 幅広い製品ファミリー › 最先端のIGBT技術 › 大量生産実績 Auto F-RAM › EXCELON › リアルタイムデータ記録 › NVM マイクロコントローラー › AURIX TC49x または TC46x › マルチコアデバイス › 安全・セキュリティ › xEV全体で拡張可能 位置センサー › XENSIV TLE481xU › シャフト端に統合されたローター 位置検知ソリューション › よりコンパクトな設計 機能安全 › 互換性があり、相互運用 可能なチップセット › ISO 26262 準拠 › 統一されたドキュメント 製品 › マイクロコントローラー › ドライバーステージ › PMIC › CANトランシーバー › メモリ › IGBTモジュール／ SiCモジュール › 位置センサー トラクションインバーター › 概要 › 製品情報 › 資料 › 動画 › トレーニング › サポート BRIGHTLANE ETH PHY / 高速CANトランシーバー › BRIGHTLANE 88Q111x › シングルペアEthernet › 過酷な環境(EMI) › 1000BASE-T1 に対応 In Vehicle Network 22 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 LV HV 駆動用インバーターの構成 フライバック 回路 フライバック 回路 電源 スイッチ 電源 スイッチ 電源 スイッチ 電源 スイッチ 電源 スイッチ 電源 スイッチ DCリンク EM 絶縁 高電圧-低電圧 DC/DC LVバッテリー ゲート電源 フライバック 回路 フライバック 回路 ゲート電源 電流センサ XENSIVTM 電流センサ XENSIV XENSIVTM 電流センサー XENSIVTM HVバッテリー 冗長電源 ネットワーク Si²C EiceDriverTM EiceDriverTM EiceDRIVERTM ハイサイド OPTIREGTM リニアLDO チップ埋め込み ベアダイ または レゾルバ 32ビットMCU AURIXTM リアルタイム制御 ハードウェア保護 機能 接続性 セキュリティ 仮想化 並列処理ユニット コンバータ・デジタル 信号処理 (レゾルバ) 凡例 センシング信号 安全信号（例：SI1 および SI2） 制御信号（例：PWM） 電源レール 通信（例：SPI） 電源信号（例：ゲート制御） 絶縁型センシング（例：ホール） 電気的絶縁 電源管理 OPTIREGTM 安全 エンジン レゾルバ駆動 供給および プリレギュレータ OPTIREGTM リニアLDO ディスクリート または EiceDriverTM EiceDriverTM EiceDRIVERTM ローサイド ローター 位置センサー XENSIVTM 車載用 ネットワーク BRIGHTLANE 高速CAN 電源モジュール または または 23 Copyright © Infineon Technologies AG 2026. All rights reserved. Public 05/2026 MSK: メインインバーター用 CoolSiCTM キット デモ概要 「One Inverter One Infineon」: 最大750 Armsの相電流に対応する800 Vバッ テリーシステム向けの、高電圧トラクションインバーターシステムソリューション 一式。このリファレンスデザインは、電気駆動系分野におけるインフィニオンの確 かなシステムノウハウを実証。31個のインフィニオン製コンポーネントを採用し、 各コンポーネント間のシームレスな相互運用性を実現することで、最先端の機能 安全コンセプト(QM) を達成。トレーニングビデオ 使用されているインフィニオン製品 31種類のインフィニオン製コンポーネントおよび20の製品グループ： 1ED020I12FA2; 1EDI3050AS; 4DIR2400H; AIMBG120R120M1; BAS16-03W; BAS21-03W; BAT54-02V; BC848C; BC858C; BSL606SN H6327; BSS138N; BSZ15DC02KD H; BTG7050- 1EPL; FS01MR12A8MA2B; IAUZ30N06S5L140; IAUZN04S7L049; ICE5GSAG; ICE5QSBG; IMBF170R1K0M1; IPZ40N04S5L-7R4; TC49x_BGA436_EMS; TLE4973; TLE9252VSK; TLE9371SJ; TLE9744QK; TLF80511EJV33; TLI4961-1M; TLS125D0EJ; TLS810A1LD V50; TLS850C2TE V33; TVS3V3L4U デモセットアップの要件 サイズ：118,40 mm × 320 mm × 334 mm 電源不要 対象アプリケーション 電気式乗用車および商用車のトラクションインバーター向けリファレンスデザイ ン。これにより、少ない労力でテストを開始し、最終的には市場投入までの時間 を短縮。 特長 メリット › インバーター制御ボード: AURIX 、I-PMIC、F-RAM、CAN FD › 周辺処理ユニット(PPU) を搭載したマルチコアアプリケーシ ョンにより優れた性能を実現 › AURIX MCUとI-PMICを組み合わせた冗長安全動作を実 現する安全コンセプト › ローター位置決め用のレゾルバ＋プライベートCAN › インバーターパワーステージ: HybridPACK Drive G2 CoolSiCTM FS0x 電流センサー XENSIV TLE4973 › 1200 V 1mΩ HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM + プラス チック製クーラー › オプション：750 V HybridPACKTM Drive Fusion (CoolSiCTM + HybridPACKTM フレーム内のIGBT) › コアレス電流センサー(Swobodaパッケージ) › 17 nHのコミューテーションセル搭載の高拡張DCリンク › インバータードライバーボード EiceDRIVER 、ISO Face、SiC、フライバック › 単一故障耐性のある電源コンセプト › 主電源用高電圧→低電圧DC/DCコンバーター › 冗長化されたHV_DC測定 › アクティブ放電(抵抗またはパワーモジュール経由) › インバータードライバーボード アプリケーションソフトウェア＋GU